成果推介 |含SiC器件的模塊化多電平換流器及其優(yōu)化控制系統(tǒng)
發(fā)布日期:2023-04-29 瀏覽量:1395
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【所屬領域】
電力電子裝備、新能源技術
【痛點問題】
基于模塊化多電平換流器(Modular Multilevel Converter, MMC)的柔性直流輸配電技術具有控制靈活、動態(tài)響應快、弱網(wǎng)連接能力強、便于多端運行等顯著優(yōu)勢,已成為直流輸配電領域的優(yōu)選方案,是我國可再生能源大規(guī)模開發(fā)利用的重要手段。未來隨著可再生能源開發(fā)利用逐步深入,海上光伏、海上風電等特定場合的對換流閥的體積與重量要求較為苛刻,需要MMC實現(xiàn)輕型化。然而,傳統(tǒng)MMC普遍采用硅絕緣柵雙極型晶體管(Silicon Insulated Gate Bipolar Transistor, Si IGBT)作為功率器件,受制于Si材料的物理極限,Si IGBT性能已接近理論上限,使得MMC子模塊數(shù)目無法降低、開關頻率難以提升,制約了裝置體積、重量的縮減。
近年來,以碳化硅(Silicon Carbide, SiC)為代表的寬禁帶半導體器件發(fā)展迅猛,其中碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SiC MOSFET)相比于Si IGBT阻斷電壓更高、開關速度更快、開關損耗更小。將MMC中的Si IGBT替換為SiC MOSFET,有利于MMC縮減裝置體積、提高控制帶寬、優(yōu)化傳輸效率。
因此,本團隊聚焦SiC MOSFET在MMC中的應用的機遇與挑戰(zhàn),首先基于基礎的半橋MMC結構,將Si IGBT直接替換為SiC MOSFET,針對SiC MMC存在的器件結溫不均問題和電磁干擾加劇問題分別提出了對應的優(yōu)化調制方法。另一方面,針對全SiC MMC成本高、導通損耗大的問題,本團隊提出Si/SiC器件混合型子模塊和Si/SiC子模塊混合型換流器,以進一步優(yōu)化裝置的效率及經(jīng)濟性。
【成果介紹】
本成果提出了一種含SiC器件的模塊化多電平換流器及其優(yōu)化控制系統(tǒng)。針對前述痛點問題,本成果對應給出了以下解決方案:
1. 針對SiC MMC子模塊器件結溫分布不均的問題,提出了一種基于SiC MOSFET雙向導電特性的子模塊器件結溫均衡方法。團隊借鑒Si子模塊器件損耗分析方法,建立了SiC子模塊損耗分析模型。在此基礎上,根據(jù)SiC MOSFET溝道是否雙向導電,將SiC MOSFET分為單極工作和雙極工作兩種模式,并對比了兩種模式的器件損耗分布情況。進一步地,引入可自適應調節(jié)的閾值參數(shù)控制兩種模式的自主切換,從而實現(xiàn)器件損耗的均衡。
2. 針對SiC器件高阻斷電壓、高開關速度的特性導致MMC電磁干擾增加的問題,提出了多種適用于SiC MMC的共模電壓抑制方法。團隊建立了MMC共模電壓分析模型,并分析了SiC器件的應用對MMC共模電壓特性的影響。在此基礎上,揭示了基于最近零共模電壓矢量的共模電壓抑制方法的實現(xiàn)原理,并分析了其劣化輸出電能質量的缺陷。進一步地,基于開關矢量分析法,提出了多種改進型的共模電壓抑制方法,可在實現(xiàn)零共模電壓調制的同時抑制電容電壓波動并提高輸出電能質量。
3. 針對全SiC子模塊成本高、導通損耗大的問題,提出了多種Si/SiC器件混合型子模塊方案(包含全橋子模塊方案、投切電容型子模塊(CS-SFB)方案)。通過優(yōu)化子模塊調制方法,使SiC半橋高頻工作、Si半橋低頻工作,實現(xiàn)了器件的優(yōu)勢互補。
4. 針對由全SiC子模塊組成的單一器件型MMC成本高、導通損耗大的問題,提出了Si/SiC子模塊混合型MMC換流器方案。團隊分析了全SiC MMC隨著增壓擴容成本、損耗持續(xù)增高的缺陷。然后,通過改變單一器件MMC各子模塊結構相同、功能一致的架構特性,將少量SiC塑形子模塊和多個Si承壓子模塊串接,構成了Si/SiC子模塊混合型MMC。在此基礎上,優(yōu)化了換流器調制方法,在實現(xiàn)子模塊電容電壓均衡的同時使SiC子模塊高頻運行、Si子模塊低頻運行,提升了器件的利用效率。
圖1 6kW CS-SFB混合型MMC
圖2 10kW Si子模塊/SiC子模塊混合型MMC
【技術優(yōu)勢】
基于SiC器件的MMC在未來具有廣闊的市場應用前景,本團隊所研發(fā)的含SiC器件的模塊化多電平換流器及其優(yōu)化控制系統(tǒng)相對于競品方案,具有如下優(yōu)勢:
1. 解決了SiC器件應用于MMC后所產(chǎn)生的結溫不均及EMI問題,可全面提升裝置運行的安全性與可靠性;
2. 所提出的多種裝置拓撲充分考慮了SiC器件產(chǎn)業(yè)尚不成熟、成本較高的缺點,通過結構優(yōu)化,使得兼顧SiC器件低損耗優(yōu)勢的同時,減少了器件用量,保證效率提升的同時,極大降低了裝置成本,使得產(chǎn)品更具有市場競爭力。
【技術指標】
在團隊樣機及設定測試環(huán)境下,可實現(xiàn)以下參數(shù)指標:
1. 所提出的SiC子模塊結溫均衡方案最高可使SiC子模塊結溫不平衡度降低72.5%;
2. 所提出的SiC MMC共模電壓抑制方法可實現(xiàn)共模電壓抑制的同時,使交流側輸出電流THD和電容電壓波動分別降低23.8%和22.4%;
3. 所提出的Si/SiC器件混合型子模塊相比全SiC全橋子模塊在損耗和成本方面分別降低了16.3%和41.0%;
4. 所提出的Si子模塊/SiC子模塊混合型MMC相比全SiC MMC在損耗和成本分別降低31.0%和60.7%。
【資質榮譽】
1. 基于系列成果,獲批國家級項目1項,省部級項目1項,授權發(fā)明專利10項;
2. 基于相關項目方案,發(fā)表SCI一區(qū)論文5篇,EI論文6篇,相關論文獲評IEEE JESTPE一等獎(華人團隊首次獲獎)、電工技術學會優(yōu)秀論文、IEEE SSPEL最佳報告獎等多項獎項;方案樣機曾參評多項創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽,獲電子設計國家級競賽一等1項、三等獎1項。
【技術成熟度】
本項目成果研究目前處于已有樣機階段。
【應用場景】
美國在SiC MMC的方案研發(fā)、產(chǎn)業(yè)推進上走在世界前列,采用10kV SiC MOSFET器件的MMC裝置獲評了美國能源部PowerAmerica年度最佳項目,目前相關產(chǎn)業(yè)化進程仍在推進。國內方面,國家電網(wǎng)、南方電網(wǎng)公司均已就SiC器件在電網(wǎng)換流器中的應用開展了大量驗證工作,其中雄安新區(qū)將建成采用國產(chǎn)6500V碳化硅器件的柔性變電站。
【市場前景】
SiC器件在中高壓大功器變換器中的大規(guī)模應用是大勢所趨?;贛MC的柔性直流輸配電技術是直流輸配電領域的優(yōu)選方案,也是我國可再生能源大規(guī)模開發(fā)利用的重要手段,SiC器件的應用符合MMC輕型化、高效率的發(fā)展需求,具有廣闊的市場前景。
本團隊全面解析了SiC器件的應用給MMC的運行、維護所帶來的問題并提出了對應的解決方案,其中所提出的裝置方案具有完全的自主產(chǎn)權,同時較美國能源部方案效率更高、成本更低,具有充分的競爭力。
【知識產(chǎn)權】
本成果已授權了多項中國發(fā)明專利,以下是部分專利展示:
【合作方式】
專利許可、專利轉讓、作價投資、技術開發(fā)、面談等。
【團隊介紹】
本項成果由華中科技大學“高壓大功率特種電源”團隊開發(fā),團隊含國家青年拔尖人才1名、國家海外優(yōu)青人才2名,累計出站博士后1人,培養(yǎng)博士研究生13人,碩士研究生40余人。